IR ተቀባይ 3162PT850D-A3

በ photodiodes እና phototransistors አፈፃፀም መካከል ያለው ልዩነት ምንድነው?

1. Phototransistor የፎቶዲዮድ እና ትራንዚስተር የተቀናጀ መዋቅር ተደርጎ ሊወሰድ ይችላል። ባህሪያቱ የፎቶዲዮድ ውፅዓት ባህሪያት እና የትራንዚስተር ባህሪያት ናቸው.
2. Photodiodes ያለ ተጨማሪ የኃይል አቅርቦት እንደ ቮልቴጅ ወይም ወቅታዊ ምንጮች (ማለትም የፎቶቮልቲክ ሴሎች) መጠቀም ይቻላል.
3. የፎቶ ትራንዚስተሩ ከውጪ ሃይል አቅርቦት ጋር መተግበር አለበት, ስለዚህም ከፎቶዲዮድ የበለጠ ከፍተኛ መጠን ያለው ጅረት ማውጣት ይችላል, ምክንያቱም በትራንዚስተር ተጨምሯል.

- የ 3 ሚሜ IR በቀዳዳ LED መጠን -

ይህ መያዣ ለሌሎች ኤልኢዲዎችም ይገኛል፡- 5ሚሜ አረንጓዴ በቀዳዳ LED፣ UV LED፣ 660nm LED፣ 940nm LED፣ 5mm blue through-holed LED፣ ቢጫ LED፣ amber LED ect *

- በቀዳዳ IR LED በመስራት ላይ -

*በፎቶው ላይ ያሉት ቀለሞች የተነሱት በካሜራ ነው፣እባኮትን በትክክል የሚፈነጥቅ ቀለምን እንደ መደበኛ ውሰድ።

- በቀዳዳ IR LED መለኪያ -

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Collector-Emitter Voltage	VCEO			30	V
Emitter-Collector Voltage	VECO			5	V
Collector Dark Current	ICEO			100	nA	VCE=20V Ee=0mw/cm2
Collector-Emitter Breakdown Voltage	Bvceo	30		100	V	ICBO=100uA Ee=0mw/cm2
Emitter-Collector Breakdown Voltage	Bvceo	6			V	IECO=10uA
Collector-Emitter Saturation Voltage	VCE(sat)			0.4	V	IC=2mA IB=100uA Ee=1mw/cm2
Photocurrent 1	IPCE	30		90	uA	Vce=5V Ee=1mw/cm2 λP=850nm
Photocurrent 2	IPCE	90		270	uA	VCE=5V Ee=1mw/cm2 λP=940nm
Current gain	hFE	270		900	uA	VCE=5V IC=2mA
Wavelenghth of Peak Sensitivity	λP		850		nm
Range of Spectral Bandwidth	λ0.5	400		1100	nm
Response Time-Rise Time	tR		15		us	Vce=5v Ic=1mA RL=1000Ω
Response Time-Fall Time	tF		15		us
Half Sensitivity angle	△λ		±10		deg
Collector-base Capacitance	CCB			8	PF	F=1MHz,VCB=3V

- ወርቃማ ሽቦ ግንኙነት -

* እያንዳንዱን የኤልኢዲ ረጅም ዕድሜ ለማቆየት BestLED ፋብሪካ ለወረዳው ግንኙነት ከፍተኛ ንፁህ የወርቅ ሽቦ ይጠቀማል።

- IR LED ማሸግ -

*ይህንን ኤልኢዲ ከማንኛውም ፓኬጆች ጋር በማሸግ እና የ LED ፒኖችን እንደፍላጎትዎ በማጠፍ ወይም በማጣመም እንችላለን።

- ተዛማጅ ኢንፍራሬድ LED -

- የምርት ሂደት -

- T hrough-ቀዳዳ IR LED -